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7月19日，英特爾通過推特宣布：第一個(gè)針對(duì)數(shù)據(jù)中心而研制的QLC固態(tài)硬盤已開始量產(chǎn)，隨后東芝和西部數(shù)據(jù)也紛紛發(fā)布了自己的QLC閃存進(jìn)展通告，QLC之戰(zhàn)正式展開。

SSD行業(yè)目前已全面向TLC閃存過渡，SSD定價(jià)已經(jīng)大幅下滑。TLC閃存每個(gè)單元存儲(chǔ)3bit，比上一代閃存更密集，更便宜。而QLC閃存每個(gè)單元存儲(chǔ)4bit，它的誕生有望帶來(lái)更低的價(jià)格和更高容量SSD。但QLC閃存需要權(quán)衡利弊，額外33％的存儲(chǔ)密度提升導(dǎo)致耐用性和性能下降，但是3D NAND技術(shù)可以讓包括臺(tái)式PC、圖形工作站在內(nèi)的設(shè)備性能更高。

幾個(gè)月前美光公司宣布推出業(yè)界第一款QLC固態(tài)硬盤產(chǎn)品，英特爾隨之推出了自己的QLC固態(tài)產(chǎn)品，從外觀上看類似英特爾的2.5寸 U.2固態(tài)硬盤。最新的QLC SSD將配備PCIe接口，并支持NVMe協(xié)議。英特爾表示8月將在閃存峰會(huì)上分享更多關(guān)于QLC SSD的細(xì)節(jié)，并將其納入英特爾數(shù)據(jù)中心D5系列。

東芝和西數(shù)宣布了共同研制的3D QLC NAND，新的96層BiCS4閃存的密度為每個(gè)芯片1.33TB。SSD每個(gè)封裝最多可提供16個(gè)裸片閃存，意味著東芝和WD將很快能夠?qū)⒏哌_(dá)2.66TB的存儲(chǔ)封裝到單個(gè)NAND封裝中。西數(shù)計(jì)劃于9月開始對(duì)BiCS4 QLC NAND進(jìn)行抽樣，并將于2019年初開始批量生產(chǎn)。

在過去幾年中，SSD已經(jīng)慢慢占據(jù)了機(jī)械硬盤的市場(chǎng)份額，而且由于需求減少，WD甚至決定關(guān)閉一些主要的機(jī)械硬盤生產(chǎn)廠。隨著中國(guó)長(zhǎng)江儲(chǔ)存技術(shù)工廠開始量產(chǎn)3D NAND，固態(tài)硬盤價(jià)格繼續(xù)大幅下挫，許多分析公司預(yù)計(jì)固態(tài)硬盤會(huì)出現(xiàn)更大跌幅。據(jù)報(bào)道，三星也準(zhǔn)備大幅增加其NAND產(chǎn)量，為此2019年的支出也將增加26億美元。明年將迎來(lái)屬于QLC固態(tài)硬盤的一年，也可能是SSD將HDD完全從主要存儲(chǔ)角色中完全剝離出來(lái)的一年。